阻挡层的去除方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410257649.1

申请日：

2009-05-08

公开(公告)号：

CN103985670B

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

王坚贾照伟武俊萍谢良智王晖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586828299 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014102576491 申请日:20090508
2017-06-16	授权	授权
2020-03-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:盛美半导体设备(上海)有限公司变更后:盛美半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢变更后:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
2014-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

阻挡层的去除方法和装置 [P].

王坚 ;

贾照伟 ;

武俊萍 ;

谢良智 ;

王晖 .

中国专利 :CN101882595B ,2010-11-10

[2]

去除阻挡层的方法 [P].

王晖 ;

张洪伟 ;

代迎伟 ;

金一诺 ;

王坚 .

中国专利 :CN113782430B ,2025-09-12

[3]

去除阻挡层的方法 [P].

王晖 ;

张洪伟 ;

代迎伟 ;

金一诺 ;

王坚 .

中国专利 :CN113782430A ,2021-12-10

[4]

二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺 [P].

王坚 ;

何增华 ;

贾照伟 ;

王晖 .

中国专利 :CN103367138A ,2013-10-23

[5]

阻挡层的形成方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN102005411A ,2011-04-06

[6]

制作阻挡层的方法 [P].

陈菁华 ;

郑意中 .

中国专利 :CN1674215A ,2005-09-28

[7]

二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法 [P].

王坚 ;

贾照伟 ;

王晖 .

中国专利 :CN103700615A ,2014-04-02

[8]

渗透阻挡层 [P].

J·拉姆 .

中国专利 :CN101999012A ,2011-03-30

[9]

渗透阻挡层 [P].

J·拉姆 .

中国专利 :CN105695934A ,2016-06-22

[10]

氧化阻挡层 [P].

尤尔根·拉姆 ;

弗洛里安·塞伯特 ;

贝诺·维德里希 ;

多丽丝·佛普斯婆丽 .

中国专利 :CN105917020B ,2016-08-31

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