二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210366144.X

申请日：

2012-09-27

公开(公告)号：

CN103700615A

公开(公告)日：

2014-04-02

发明(设计)人：

王坚贾照伟王晖

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆勍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-06	授权	授权
2014-04-02	公开	公开
2020-03-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:盛美半导体设备(上海)有限公司变更后:盛美半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢变更后:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
2015-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627606587 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201210366144X 申请日:20120927

共 50 条

[1]

二氟化氙气相刻蚀阻挡层的工艺 [P].

王坚 ;

何增华 ;

贾照伟 ;

王晖 .

中国专利 :CN103367138A ,2013-10-23

[2]

阻挡层的去除方法和装置 [P].

王坚 ;

贾照伟 ;

武俊萍 ;

谢良智 ;

王晖 .

中国专利 :CN101882595B ,2010-11-10

[3]

阻挡层的去除方法和装置 [P].

王坚 ;

贾照伟 ;

武俊萍 ;

谢良智 ;

王晖 .

中国专利 :CN103985670B ,2014-08-13

[4]

扩散阻挡层和扩散阻挡层的制造方法 [P].

M·哈拉兹奥尔松 ;

H·特兰夸克 ;

A·加利相 .

中国专利 :CN1977404A ,2007-06-06

[5]

一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709246B ,2012-10-03

[6]

提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法 [P].

周军 .

中国专利 :CN102664150A ,2012-09-12

[7]

一种形成双应力刻蚀阻挡层的方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102709247B ,2012-10-03

[8]

一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法 [P].

黄胜男 ;

贺吉伟 ;

李赟 .

中国专利 :CN107479341A ,2017-12-15

[9]

设置顶部刻蚀阻挡层以增加接触孔刻蚀制程窗口的方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102420175A ,2012-04-18

[10]

消除刻蚀阻挡层损伤方法及应力记忆技术实现方法 [P].

黄敬勇 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102376577A ,2012-03-14

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