互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080027511.6
申请日
2020-04-01
公开(公告)号
CN113767063A
公开(公告)日
2021-12-07
发明(设计)人
洪婉嘉 彼得·科普尼奇 伊凯·安德·奥贾克
申请人
申请人地址
新加坡新加坡创业道2号愿景交流大厦11-08号
IPC主分类号
B81C100
IPC分类号
代理机构
深圳市德锦知识产权代理有限公司 44352
代理人
陈永晔
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
互补金属氧化物-半导体和MEMS传感器的异质集成 [P]. 
洪婉嘉 ;
彼得·科普尼奇 ;
伊凯·安德·奥贾克 .
:CN113767063B ,2025-01-03
[2]
基于热电的红外探测器的单片后互补金属氧化物-半导体集成 [P]. 
洪婉嘉 ;
彼得.科普尼奇 ;
伊凯.安德.奥贾克 .
中国专利 :CN113677618A ,2021-11-19
[3]
基于热电的红外探测器的单片后互补金属氧化物-半导体集成 [P]. 
洪婉嘉 ;
彼得.科普尼奇 ;
伊凯.安德.奥贾克 .
:CN113677618B ,2025-01-10
[4]
CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS [P]. 
赵亦平 ;
叶尚府 ;
张秦豪 ;
李其霖 ;
周国煜 ;
黄乔逸 .
中国专利 :CN107222693A ,2017-09-29
[5]
互补金属氧化物半导体影像传感器的制造方法 [P]. 
金恩志 .
中国专利 :CN1311544C ,2005-06-08
[6]
互补金属氧化物半导体图像传感器 [P]. 
周雪梅 ;
陈鸿 .
中国专利 :CN214705931U ,2021-11-12
[7]
互补金属氧化物半导体图像传感器 [P]. 
李仑政 .
中国专利 :CN101567960A ,2009-10-28
[8]
互补金属氧化物半导体图像传感器 [P]. 
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安言卓 .
中国专利 :CN106960855B ,2017-07-18
[9]
互补金属氧化物半导体图像传感器 [P]. 
安正卓 ;
浅羽哲朗 ;
金利泰 ;
金廷妍 ;
黄圣仁 .
中国专利 :CN1881600A ,2006-12-20
[10]
互补金属氧化物半导体图像传感器 [P]. 
权五凤 .
中国专利 :CN1258228C ,2003-03-05