硅通孔的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111037380.2
申请日
2021-09-06
公开(公告)号
CN113903705A
公开(公告)日
2022-01-07
发明(设计)人
郁新举 冯凯 吴建荣
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21683 H01L21304
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
罗雅文
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
硅通孔结构的制作方法 [P]. 
管冯林 ;
徐友峰 .
中国专利 :CN121215611A ,2025-12-26
[2]
穿硅通孔及其制作方法 [P]. 
黄琦雯 ;
苏国辉 .
中国专利 :CN103489840A ,2014-01-01
[3]
一种硅通孔的制作方法 [P]. 
金国栋 ;
杨志刚 .
中国专利 :CN120261400A ,2025-07-04
[4]
一种硅通孔的结构及其制作方法 [P]. 
郑超 ;
陈政 ;
王伟 .
中国专利 :CN105097653B ,2015-11-25
[5]
一种硅通孔结构及其制作方法 [P]. 
禹国宾 ;
刘海龙 .
中国专利 :CN105845650B ,2016-08-10
[6]
一种硅通孔结构及其制作方法 [P]. 
李春泉 ;
谢星华 ;
黄红艳 ;
尚玉玲 ;
张明 ;
周远畅 ;
谢小天 .
中国专利 :CN106057757A ,2016-10-26
[7]
一种具有通孔的硅光芯片结构及其制作方法 [P]. 
余巨峰 ;
陈东石 .
中国专利 :CN118050852A ,2024-05-17
[8]
一种硅通孔截面样品及其制作方法 [P]. 
屈钰 ;
朱子轩 ;
叶红波 ;
吴大海 ;
苟元华 .
中国专利 :CN115855602B ,2025-11-28
[9]
具有硅通孔的半导体结构及其制作方法和测试方法 [P]. 
施学浩 .
中国专利 :CN104851875B ,2015-08-19
[10]
制作通孔的方法 [P]. 
曾贤俊 .
中国专利 :CN1303667C ,2005-09-28