一种稀土钴基永磁体及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110300525.3
申请日
2011-09-29
公开(公告)号
CN102412050A
公开(公告)日
2012-04-11
发明(设计)人
李安华 李卫 冯海波 朱明刚 郭朝晖 潘伟
申请人
申请人地址
100081 北京市海淀区学院南路76号
IPC主分类号
H01F702
IPC分类号
H01F1053 H01F4102 B22F316
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
郭鸿禧;张军
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
稀土钴永磁体 [P]. 
藤原照彦 ;
町田浩明 ;
吉川秀之 .
中国专利 :CN104916382A ,2015-09-16
[2]
稀土钴永磁体 [P]. 
町田浩明 ;
藤原照彦 ;
吉川秀之 .
中国专利 :CN105957680A ,2016-09-21
[3]
具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法 [P]. 
李卫 ;
方以坤 ;
郭朝晖 ;
朱明刚 ;
潘伟 .
中国专利 :CN102403082A ,2012-04-04
[4]
稀土钴永磁体、制造稀土钴永磁体的方法及设备 [P]. 
町田浩明 ;
藤原照彦 .
日本专利 :CN119541980A ,2025-02-28
[5]
一种稀土钴基永磁体用带状钎焊料及其制备方法 [P]. 
潘伟 ;
吴亚萍 ;
宋奎奎 ;
靖征 .
中国专利 :CN105081606A ,2015-11-25
[6]
抗冲击铁基稀土永磁体及其制备方法 [P]. 
李卫 ;
王会杰 ;
朱明刚 ;
郭朝晖 .
中国专利 :CN101154489B ,2008-04-02
[7]
稀土钴永磁体、其制备方法以及装置 [P]. 
竹泽昌晃 ;
町田浩明 ;
藤原照彦 ;
金森悠 .
中国专利 :CN111952030A ,2020-11-17
[8]
稀土钴永磁体、其制备方法以及装置 [P]. 
竹泽昌晃 ;
町田浩明 ;
藤原照彦 ;
金森悠 .
日本专利 :CN111952030B ,2025-08-01
[9]
稀土钴永磁体、其制造方法和装置 [P]. 
町田浩明 ;
藤原照彦 ;
幕田裕和 ;
藤本千惠子 ;
金森悠 .
日本专利 :CN113223797B ,2025-07-01
[10]
稀土钴永磁体、其制造方法和装置 [P]. 
幕田裕和 ;
町田浩明 ;
藤原照彦 ;
金森悠 .
中国专利 :CN113205935A ,2021-08-03