稀土钴永磁体、其制备方法以及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010403308.6

申请日：

2020-05-13

公开(公告)号：

CN111952030B

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

竹泽昌晃町田浩明藤原照彦金森悠

申请人：

国立大学法人九州工业大学株式会社东金

申请人地址：

日本福冈县

IPC主分类号：

H01F1/055

IPC分类号：

H01F41/02

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

陈丹丹;刘继富

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-01	授权	授权

共 50 条

[1]

稀土钴永磁体、其制备方法以及装置 [P].

竹泽昌晃 ;

町田浩明 ;

藤原照彦 ;

金森悠 .

中国专利 :CN111952030A ,2020-11-17

[2]

稀土钴永磁体、制造稀土钴永磁体的方法及设备 [P].

町田浩明 ;

藤原照彦 .

日本专利 :CN119541980A ,2025-02-28

[3]

稀土钴永磁体 [P].

藤原照彦 ;

町田浩明 ;

吉川秀之 .

中国专利 :CN104916382A ,2015-09-16

[4]

稀土钴永磁体 [P].

町田浩明 ;

藤原照彦 ;

吉川秀之 .

中国专利 :CN105957680A ,2016-09-21

[5]

稀土钴永磁体、其制造方法和装置 [P].

町田浩明 ;

藤原照彦 ;

幕田裕和 ;

藤本千惠子 ;

金森悠 .

日本专利 :CN113223797B ,2025-07-01

[6]

稀土钴永磁体、其制造方法和装置 [P].

幕田裕和 ;

町田浩明 ;

藤原照彦 ;

金森悠 .

中国专利 :CN113205935A ,2021-08-03

[7]

稀土钴永磁体、其制造方法和装置 [P].

町田浩明 ;

藤原照彦 ;

幕田裕和 ;

藤本千惠子 ;

金森悠 .

中国专利 :CN113223797A ,2021-08-06

[8]

一种稀土钴基永磁体及其制备方法 [P].

李安华 ;

李卫 ;

冯海波 ;

朱明刚 ;

郭朝晖 ;

潘伟 .

中国专利 :CN102412050A ,2012-04-11

[9]

稀土-钴永磁体 [P].

竹泽昌晃 ;

藤原照彦 ;

町田浩明 ;

吉川秀之 .

中国专利 :CN108352231A ,2018-07-31

[10]

具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法 [P].

李卫 ;

方以坤 ;

郭朝晖 ;

朱明刚 ;

潘伟 .

中国专利 :CN102403082A ,2012-04-04

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