一种长余辉近红外碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910187891.9

申请日：

2019-03-13

公开(公告)号：

CN109777409B

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

王伟王忠霞高元飞王文娟

申请人：

申请人地址：

224051 江苏省盐城市希望大道中路1号

IPC主分类号：

C09K1165

IPC分类号：

G01N2164 B82Y4000 B82Y2000

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

吴爽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/65 申请日:20190313
2021-10-08	授权	授权
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种近红外纳米长余辉荧光材料及其制备方法和应用 [P].

王育华 ;

张泓喆 ;

马西麟 ;

周平 ;

谭榕双 ;

田佳辉 .

中国专利 :CN120555061A ,2025-08-29

[2]

一种镍掺杂碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用 [P].

王伟 ;

王忠霞 ;

高元飞 .

中国专利 :CN109897632B ,2019-06-18

[3]

一种新型荧光碳基纳米材料及其制备方法和应用 [P].

王忠霞 ;

王伟 .

中国专利 :CN106675556A ,2017-05-17

[4]

一种长余辉纳米材料及其制备方法和应用 [P].

康茹 ;

李杨 ;

窦晓静 .

中国专利 :CN109971468A ,2019-07-05

[5]

一种上转换硼氮磷共掺杂碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用 [P].

王忠霞 ;

王伟 .

中国专利 :CN109868137A ,2019-06-11

[6]

一种近红外长余辉纳米材料及其制备方法与应用 [P].

史俊朋 ;

王瑾媛 ;

张云 ;

孙霞 ;

罗小芳 ;

高艳 .

中国专利 :CN116948645B ,2024-07-09

[7]

一种硼掺杂碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用 [P].

王忠霞 ;

王伟 ;

于贤贺 .

中国专利 :CN106675555B ,2017-05-17

[8]

一种近红外荧光碳纳米点及其制备方法和应用 [P].

郭东波 ;

侯逸杰 .

中国专利 :CN120624012A ,2025-09-12

[9]

一种双色近红外发射碳纳米点荧光纳米材料及其合成方法和应用 [P].

孟祥英 ;

伊正君 ;

赵荣兰 ;

乔晋娟 ;

宋伟 ;

李恒 .

中国专利 :CN114181696A ,2022-03-15

[10]

一种纳米近红外长余辉发光材料及其制备方法和应用 [P].

王育华 ;

马西麟 ;

周平 ;

张泓喆 ;

谭榕双 ;

何韵涵 .

中国专利 :CN119842398A ,2025-04-18

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