酞菁铜‑氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710006271.1

申请日：

2017-01-05

公开(公告)号：

CN106770470A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

段国韬刘强周飞高磊

申请人：

申请人地址：

230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118

代理人：

任岗生

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20170105 授权公告日:20190226 终止日期:20220105
2017-05-31	公开	公开
2019-02-26	授权	授权
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729192247 IPC(主分类):G01N 27/00 专利申请号:2017100062711 申请日:20170105

共 50 条

[1]

酞菁钴气敏元件及其制备方法 [P].

刘强 ;

段国韬 ;

高磊 ;

苏星松 .

中国专利 :CN106483168A ,2017-03-08

[2]

纳米氧化亚铜粉的制备方法 [P].

黄德欢 ;

李宗全 ;

吕春菊 .

中国专利 :CN1305772C ,2005-11-09

[3]

丝兰状氧化亚铜的制备方法 [P].

储德清 ;

胡文辉 ;

陈翔宇 ;

王立鹏 ;

王振凤 ;

孙晶晶 ;

杨会芳 .

中国专利 :CN107840360A ,2018-03-27

[4]

氧化亚铜的制备方法 [P].

刘少军 ;

张宏生 ;

王莉 ;

尚玉明 ;

何向明 ;

李建军 ;

王要武 ;

高剑 ;

罗晶 .

中国专利 :CN104098121A ,2014-10-15

[5]

一种碳包覆氧化亚铜的制备方法及碳包覆氧化亚铜 [P].

廖楚宏 ;

胡超 .

中国专利 :CN104497679B ,2015-04-08

[6]

氧化亚铜的制备方法 [P].

沈祖达 .

中国专利 :CN102190327A ,2011-09-21

[7]

室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件及其制备方法 [P].

李强 ;

霍丽华 ;

高山 ;

赵辉 .

中国专利 :CN101881745A ,2010-11-10

[8]

氧化亚铜制备方法 [P].

毛铭华 ;

涂桃枝 ;

杜士奎 .

中国专利 :CN1032151A ,1989-04-05

[9]

含纳米氧化亚铜/丝素蛋白复合物及其制备方法 [P].

张葵花 ;

颜志勇 ;

连媛 ;

李喆 ;

姚勇波 ;

生俊露 .

中国专利 :CN110194899B ,2019-09-03

[10]

一种氧化亚铜量子点的制备方法 [P].

陈胜文 ;

李仲原 .

中国专利 :CN120589778A ,2025-09-05

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