室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010223651.9

申请日：

2010-07-12

公开(公告)号：

CN101881745A

公开(公告)日：

2010-11-10

发明(设计)人：

李强霍丽华高山赵辉

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

韩末洙

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101535413410 IPC(主分类):G01N 27/12 专利申请号:2010102236519 申请公布日:20101110
2010-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101026096418 IPC(主分类):G01N 27/12 专利申请号:2010102236519 申请日:20100712
2010-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

酞菁铜‑氧化亚铜复合气敏元件及其制备方法 [P].

段国韬 ;

刘强 ;

周飞 ;

高磊 .

中国专利 :CN106770470A ,2017-05-31

[2]

酞菁钴气敏元件及其制备方法 [P].

刘强 ;

段国韬 ;

高磊 ;

苏星松 .

中国专利 :CN106483168A ,2017-03-08

[3]

镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件 [P].

刘杏芹 ;

徐正良 ;

沈瑜生 .

中国专利 :CN1153961C ,1999-05-19

[4]

一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245699A ,2013-08-14

[5]

室温氧化石墨烯/酞菁复合材料氨敏元件及其制备方法 [P].

王彬 ;

周晓庆 ;

吴谊群 ;

陈志敏 ;

贺春英 ;

苗守雷 .

中国专利 :CN103616415A ,2014-03-05

[6]

一种多元金属氧化物气敏传感器气敏元件及其制备方法 [P].

杨尊先 ;

郭太良 ;

李福山 ;

徐胜 ;

张永爱 ;

叶芸 ;

李松 ;

王灵婕 .

中国专利 :CN102621198B ,2012-08-01

[7]

一种半导体氧化物气敏元件制备方法 [P].

曾大文 ;

谢长生 ;

胡木林 ;

蔡水洲 ;

夏先平 ;

张顺平 .

中国专利 :CN101158661B ,2008-04-09

[8]

金属氧化物/聚苯胺复合电阻型气敏元件及其制备方法 [P].

徐红燕 ;

陈兴桥 ;

曹丙强 .

中国专利 :CN102854226A ,2013-01-02

[9]

染料/氧化物半导体杂化薄膜的制备方法 [P].

施利毅 ;

赵尹 ;

袁帅 ;

廖建华 ;

方建慧 .

中国专利 :CN101486441A ,2009-07-22

[10]

一种氧化锡室温气敏元件及其制备方法 [P].

周东祥 ;

刘欢 ;

龚树萍 ;

傅邱云 ;

胡云香 ;

郑志平 ;

赵俊 ;

万久晓 .

中国专利 :CN102788819A ,2012-11-21

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