一种半导体氧化物气敏元件制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710168368.9

申请日：

2007-11-16

公开(公告)号：

CN101158661B

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

曾大文谢长生胡木林蔡水洲夏先平张顺平

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

H01L4900

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

曹葆青

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20071116 授权公告日:20110511 终止日期:20191116
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-11	授权	授权
2008-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件 [P].

刘杏芹 ;

徐正良 ;

沈瑜生 .

中国专利 :CN1153961C ,1999-05-19

[2]

一种半导体气敏元件 [P].

李杰 .

中国专利 :CN204330661U ,2015-05-13

[3]

一种半导体气敏元件 [P].

李杰 .

中国专利 :CN104614412A ,2015-05-13

[4]

一种双金属氧化物半导体气敏材料及其制备方法 [P].

张晓 ;

徐瑶华 ;

魏峰 ;

苑鹏 .

中国专利 :CN111239204A ,2020-06-05

[5]

丙酮气敏材料-半导体氧化物的制备、改性方法及其应用 [P].

杜海英 ;

孙炎辉 ;

隋东均 ;

候腾跃 ;

杨雯 .

中国专利 :CN108774760A ,2018-11-09

[6]

一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法 [P].

姚坤 ;

姚望 ;

王传稳 ;

陈静 ;

高尚 .

中国专利 :CN105924871A ,2016-09-07

[7]

一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108241005A ,2018-07-03

[8]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[9]

氧化物半导体发光元件 [P].

藤井哲雄 ;

田边哲弘 .

中国专利 :CN101341603A ,2009-01-07

[10]

光激活纳米氧化物半导体气敏传感器 [P].

惠春 ;

孙建平 ;

徐爱兰 .

中国专利 :CN1645120A ,2005-07-27

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