一种双金属氧化物半导体气敏材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811450315.0

申请日：

2018-11-29

公开(公告)号：

CN111239204A

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

张晓徐瑶华魏峰苑鹏

申请人：

申请人地址：

101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20181129
2020-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用 [P].

陈思 ;

方陆 ;

张思博 ;

黄旭 ;

戴馨怡 ;

董帆 .

中国专利 :CN118329980A ,2024-07-12

[2]

一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用 [P].

陈思 ;

方陆 ;

张思博 ;

黄旭 ;

戴馨怡 ;

董帆 .

中国专利 :CN118329980B ,2024-10-15

[3]

一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法 [P].

张晓 ;

徐瑶华 ;

刘皓 ;

赵文瑞 ;

魏峰 .

中国专利 :CN110455874A ,2019-11-15

[4]

一种金属氧化物半导体气敏材料及其制备和应用 [P].

张晶晶 ;

张艳妮 ;

刘锦华 ;

刘凝 ;

赵鹏 ;

朱小锋 ;

宁占武 .

中国专利 :CN109850936A ,2019-06-07

[5]

一种大孔径介孔双金属氧化物半导体气敏材料的合成方法 [P].

邓勇辉 ;

高美琪 ;

马俊豪 .

中国专利 :CN110451561B ,2019-11-15

[6]

镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件 [P].

刘杏芹 ;

徐正良 ;

沈瑜生 .

中国专利 :CN1153961C ,1999-05-19

[7]

一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法 [P].

易建新 ;

纪磊 ;

张赫 ;

陈冬冬 ;

刘卫 ;

姜羲 .

中国专利 :CN105044160A ,2015-11-11

[8]

一种基于双金属氧化物半导体乙醇气敏检测传感器制备方法及其装置 [P].

齐国臣 ;

马志闯 ;

孙昊天 ;

刘志炜 ;

葛静敏 ;

刘盼 .

中国专利 :CN119023738A ,2024-11-26

[9]

复合金属氧化物半导体材料及其制备方法 [P].

董汉鹏 ;

孔祥霞 ;

张威 .

中国专利 :CN1328208C ,2005-11-09

[10]

一种半导体氧化物气敏元件制备方法 [P].

曾大文 ;

谢长生 ;

胡木林 ;

蔡水洲 ;

夏先平 ;

张顺平 .

中国专利 :CN101158661B ,2008-04-09

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