一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410488715.X

申请日：

2024-04-23

公开(公告)号：

CN118329980B

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

陈思方陆张思博黄旭戴馨怡董帆

申请人：

电子科技大学长三角研究院（湖州）

申请人地址：

313000 浙江省湖州市吴兴区西塞山路819号科技创新综合体B1幢

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

B01J23/83 B01J23/34 B01J23/10

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

黄有娣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20240423
2024-07-12	公开	公开
2024-10-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用 [P].

陈思 ;

方陆 ;

张思博 ;

黄旭 ;

戴馨怡 ;

董帆 .

中国专利 :CN118329980A ,2024-07-12

[2]

一种双金属氧化物半导体气敏材料及其制备方法 [P].

张晓 ;

徐瑶华 ;

魏峰 ;

苑鹏 .

中国专利 :CN111239204A ,2020-06-05

[3]

一种金属氧化物半导体气敏材料及其制备和应用 [P].

张晶晶 ;

张艳妮 ;

刘锦华 ;

刘凝 ;

赵鹏 ;

朱小锋 ;

宁占武 .

中国专利 :CN109850936A ,2019-06-07

[4]

一种基于双金属氧化物半导体乙醇气敏检测传感器制备方法及其装置 [P].

齐国臣 ;

马志闯 ;

孙昊天 ;

刘志炜 ;

葛静敏 ;

刘盼 .

中国专利 :CN119023738A ,2024-11-26

[5]

一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法 [P].

张晓 ;

徐瑶华 ;

刘皓 ;

赵文瑞 ;

魏峰 .

中国专利 :CN110455874A ,2019-11-15

[6]

提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 [P].

张源 ;

向群 ;

徐甲强 ;

许鹏程 .

中国专利 :CN101140254B ,2008-03-12

[7]

一种大孔径介孔双金属氧化物半导体气敏材料的合成方法 [P].

邓勇辉 ;

高美琪 ;

马俊豪 .

中国专利 :CN110451561B ,2019-11-15

[8]

一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 [P].

梁士明 ;

王常春 ;

马登学 ;

袁真 ;

刘增欣 ;

杨瑞宁 ;

李因文 ;

赵晓林 ;

王浩任 ;

宋新飞 .

中国专利 :CN109991285A ,2019-07-09

[9]

p型半导体金属氧化物掺杂有序介孔氧化钨气敏材料及其制备方法 [P].

邓勇辉 ;

肖杏宇 ;

周欣然 ;

马俊豪 .

中国专利 :CN110203974B ,2019-09-06

[10]

丙酮气敏材料-半导体氧化物的制备、改性方法及其应用 [P].

杜海英 ;

孙炎辉 ;

隋东均 ;

候腾跃 ;

杨雯 .

中国专利 :CN108774760A ,2018-11-09

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