半导体激光器

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专利类型
发明
申请号
CN201880097196.7
申请日
2018-09-12
公开(公告)号
CN112640233B
公开(公告)日
2021-04-09
发明(设计)人
藏本恭介
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01S516
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李洋;王培超
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100590940C ,2005-08-31
[2]
半导体激光器 [P]. 
日高正洋 ;
高木丰 .
日本专利 :CN120933766A ,2025-11-11
[3]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100472901C ,2007-07-04
[4]
半导体激光器 [P]. 
小杉朋之 .
中国专利 :CN101902016A ,2010-12-01
[5]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100444481C ,2005-05-25
[6]
单片型半导体激光器 [P]. 
田边哲弘 .
中国专利 :CN101248563A ,2008-08-20
[7]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 .
日本专利 :CN114175427B ,2024-04-19
[8]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 .
中国专利 :CN114175427A ,2022-03-11
[9]
半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P]. 
前原宏昭 ;
平聪 ;
渊田步 ;
铃木凉子 ;
宫越亮辅 .
日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27
[10]
半导体激光器以及半导体激光装置 [P]. 
篠原弘介 .
日本专利 :CN115989620B ,2025-02-25