半导体激光器装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980098685.9
申请日
2019-08-02
公开(公告)号
CN114175427A
公开(公告)日
2022-03-11
发明(设计)人
大和屋武 柳乐崇
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01S5026
IPC分类号
H01S512
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
郭忠健
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 .
日本专利 :CN114175427B ,2024-04-19
[2]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100590940C ,2005-08-31
[3]
半导体激光器 [P]. 
日高正洋 ;
高木丰 .
日本专利 :CN120933766A ,2025-11-11
[4]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100472901C ,2007-07-04
[5]
半导体激光器 [P]. 
小杉朋之 .
中国专利 :CN101902016A ,2010-12-01
[6]
半导体激光器 [P]. 
外山智一郎 .
中国专利 :CN100444481C ,2005-05-25
[7]
半导体激光器 [P]. 
藏本恭介 .
中国专利 :CN112640233B ,2021-04-09
[8]
半导体激光器以及半导体激光装置 [P]. 
篠原弘介 .
日本专利 :CN115989620B ,2025-02-25
[9]
半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P]. 
外间洋平 ;
铃木洋介 .
中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27
[10]
半导体激光器装置 [P]. 
大和屋武 ;
柳乐崇 ;
奥田真也 .
中国专利 :CN112189289B ,2021-01-05