半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410421921.5

申请日：

2014-08-25

公开(公告)号：

CN104425439A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

横山孝司梅林拓

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L213205

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

陈桂香;曹正建

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101679109926 IPC(主分类):H01L 23/52 专利申请号:2014104219215 申请日:20140825
2015-03-18	公开	公开
2018-12-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片 [P].

谷田一真 ;

梅本光雄 ;

秋山雪治 .

中国专利 :CN100563005C ,2005-09-28

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

君冢直彦 .

日本专利 :CN119631598A ,2025-03-14

[3]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

长友浩二 .

中国专利 :CN113950741A ,2022-01-18

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

神谷晨平 ;

池田宗谦 ;

原田健司 .

日本专利 :CN119698011A ,2025-03-25

[5]

半导体装置制造方法和半导体装置 [P].

高石昌 .

中国专利 :CN1823424A ,2006-08-23

[6]

半导体装置制造方法和半导体装置 [P].

牟田忠义 .

中国专利 :CN101740490A ,2010-06-16

[7]

半导体装置及半导体装置制造方法 [P].

横山孝司 ;

梅林拓 .

中国专利 :CN104425496B ,2015-03-18

[8]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[10]

半导体装置和半导体模块 [P].

田古部勋 ;

大岳浩隆 .

日本专利 :CN118591889A ,2024-09-03

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