半导体存储装置及连续读出方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710857466.7

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN107871525A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

神永雄大水藤克年

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市

IPC主分类号：

G11C1626

IPC分类号：

G06F1202 G11C1614

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

贾磊;郭晓宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	授权	授权
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/26 申请日:20170921
2018-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及连续读出方法 [P].

须藤直昭 ;

妹尾真言 .

中国专利 :CN114863980B ,2025-01-21

[2]

半导体装置及连续读出方法 [P].

妹尾真言 ;

水藤克年 ;

谷口务 ;

冈部翔 .

中国专利 :CN112309478B ,2024-03-22

[3]

半导体装置及连续读出方法 [P].

须藤直昭 ;

妹尾真言 .

中国专利 :CN114863980A ,2022-08-05

[4]

半导体装置及连续读出方法 [P].

须藤直昭 ;

葛西央伦 ;

加贺浩之 .

中国专利 :CN111986724B ,2020-11-24

[5]

半导体装置及连续读出方法 [P].

妹尾真言 ;

水藤克年 ;

谷口务 ;

冈部翔 .

中国专利 :CN112309478A ,2021-02-02

[6]

半导体装置及连续读出方法 [P].

妹尾真言 ;

水藤克年 ;

谷口务 ;

冈部翔 .

中国专利 :CN112309477A ,2021-02-02

[7]

半导体装置及连续读出方法 [P].

葛西央伦 .

中国专利 :CN111986722B ,2020-11-24

[8]

半导体装置及连续读出方法 [P].

妹尾真言 ;

水藤克年 ;

谷口务 ;

冈部翔 .

中国专利 :CN112309477B ,2024-02-13

[9]

半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法 [P].

神永雄大 ;

水藤克年 .

中国专利 :CN107871521A ,2018-04-03

[10]

半导体装置及连续读出方法 [P].

冈部翔 .

中国专利 :CN115148262B ,2025-07-01

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