半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710231829.6

申请日：

2017-04-11

公开(公告)号：

CN107871521A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

神永雄大水藤克年

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

IPC主分类号：

G11C1608

IPC分类号：

G11C1626 G06F1202

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马雯雯;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	公开	公开
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/08 申请日:20170411
2021-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储装置及连续读出方法 [P].

神永雄大 ;

水藤克年 .

中国专利 :CN107871525A ,2018-04-03

[2]

半导体存储装置及其读出方法 [P].

小嶋英充 .

中国专利 :CN108022623A ,2018-05-11

[3]

半导体存储装置及快闪存储器运行方法 [P].

须藤直昭 .

中国专利 :CN113724767B ,2024-04-12

[4]

半导体存储装置及快闪存储器运行方法 [P].

须藤直昭 .

中国专利 :CN113724767A ,2021-11-30

[5]

半导体存储装置及快闪存储器的运行方法 [P].

须藤直昭 .

中国专利 :CN113724766A ,2021-11-30

[6]

半导体存储装置以及读出方法 [P].

妹尾真言 .

中国专利 :CN113496755A ,2021-10-12

[7]

半导体存储装置以及读出方法 [P].

妹尾真言 .

中国专利 :CN113496755B ,2024-03-22

[8]

半导体装置及连续读出方法 [P].

须藤直昭 ;

妹尾真言 .

中国专利 :CN114863980B ,2025-01-21

[9]

半导体装置及连续读出方法 [P].

须藤直昭 ;

妹尾真言 .

中国专利 :CN114863980A ,2022-08-05

[10]

快闪存储器存储装置 [P].

陈宗仁 .

中国专利 :CN108958639B ,2018-12-07

← 1 2 3 4 5 →