半导体存储装置及快闪存储器运行方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010456378.8
申请日
2020-05-26
公开(公告)号
CN113724767B
公开(公告)日
2024-04-12
发明(设计)人
须藤直昭
申请人
华邦电子股份有限公司
申请人地址
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
IPC主分类号
G11C16/30
IPC分类号
G06F1/3234
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
张娜;刘芳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置及快闪存储器运行方法 [P]. 
须藤直昭 .
中国专利 :CN113724767A ,2021-11-30
[2]
半导体存储装置及快闪存储器的运行方法 [P]. 
须藤直昭 .
中国专利 :CN113724766A ,2021-11-30
[3]
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须藤直昭 .
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[8]
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[9]
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[10]
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