垂直腔面发射半导体激光器结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910115496.X

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN111435781B

公开(公告)日：

2020-07-21

发明(设计)人：

廖文渊谭满清韦欣郭文涛

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	授权	授权
2020-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20190214
2020-07-21	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

[2]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300362A ,2015-01-21

[3]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300363A ,2015-01-21

[4]

外腔相干垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

秦莉 ;

贾鹏 ;

张建伟 ;

刘云 ;

王立军 ;

张星 .

中国专利 :CN104319628B ,2015-01-28

[5]

适合高温工作的高增益垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张建伟 ;

宁永强 ;

张建 ;

张星 ;

贾鹏 ;

秦莉 ;

王立军 .

中国专利 :CN105552715A ,2016-05-04

[6]

单模垂直腔面发射半导体激光器 [P].

黄永箴 .

中国专利 :CN1098552C ,2000-01-26

[7]

一种垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 ;

宁永强 ;

秦莉 ;

刘云 ;

王立军 .

中国专利 :CN103390858A ,2013-11-13

[8]

一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器 [P].

李林 ;

曾丽娜 ;

李再金 ;

乔忠良 ;

李功捷 ;

赵志斌 ;

杨红 ;

曲轶 ;

彭鸿雁 .

中国专利 :CN211789982U ,2020-10-27

[9]

一种新型垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

田思聪 ;

艾星辰 ;

潘绍驰 ;

王宇昊 ;

迪特尔·宾贝格 .

中国专利 :CN117767116A ,2024-03-26

[10]

一种绿光垂直腔面发射半导体激光器 [P].

李林 ;

曾丽娜 ;

李再金 ;

乔忠良 ;

曲轶 ;

彭鸿雁 .

中国专利 :CN111082316A ,2020-04-28

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