一种新型垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410174385.7

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN117767116A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

田思聪艾星辰潘绍驰王宇昊迪特尔·宾贝格

申请人：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

代理机构：

长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218

代理人：

高一明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/183申请日:20240207
2024-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300362A ,2015-01-21

[2]

外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300363A ,2015-01-21

[3]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[4]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

[5]

一种垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法 [P].

郝永芹 ;

罗妍 ;

郝誉 ;

李博 ;

李晓雪 ;

张乃予 .

中国专利 :CN110676689A ,2020-01-10

[6]

适合高温工作的高增益垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张建伟 ;

宁永强 ;

张建 ;

张星 ;

贾鹏 ;

秦莉 ;

王立军 .

中国专利 :CN105552715A ,2016-05-04

[7]

垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法 [P].

王曰海 ;

江一 ;

戴庭舸 .

中国专利 :CN117895328A ,2024-04-16

[8]

单模垂直腔面发射半导体激光器 [P].

黄永箴 .

中国专利 :CN1098552C ,2000-01-26

[9]

一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法 [P].

洪斌 ;

魏明 ;

向磊 .

中国专利 :CN120933765A ,2025-11-11

[10]

一种垂直腔面发射半导体激光器 [P].

张星 ;

宁永强 ;

秦莉 ;

刘云 ;

王立军 .

中国专利 :CN103390858A ,2013-11-13

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