SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110125530.9

申请日：

2021-01-29

公开(公告)号：

CN112723904A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

邓树军张洁黄首义

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市高新开发区长沙岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房

IPC主分类号：

C04B3806

IPC分类号：

C04B35573 C04B35622 C30B2936 C30B2300

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

陈秋梦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 38/06 申请日:20210129
2021-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

铝多孔烧结体的制造方法和铝多孔烧结体 [P].

星野孝二 ;

杨积彬 ;

织户贤治 ;

大森信一 .

中国专利 :CN102365143B ,2012-02-29

[2]

铝多孔烧结体的制造方法和铝多孔烧结体 [P].

星野孝二 ;

杨积彬 ;

织户贤治 ;

大森信一 .

中国专利 :CN102438778A ,2012-05-02

[3]

多孔烧结体 [P].

土屋善信 ;

仑林研 ;

诸星博芳 ;

吉田彰夫 ;

西谷忠邦 ;

仁井田赖明 .

中国专利 :CN1026869C ,1991-03-06

[4]

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法 [P].

贾瑞涛 ;

刘宁宁 .

中国专利 :CN117821932A ,2024-04-05

[5]

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法 [P].

贾瑞涛 ;

刘宁宁 .

中国专利 :CN117821932B ,2025-05-27

[6]

Si-SiC质烧结体及其制造方法 [P].

古宫山常夫 ;

山川治 ;

堀清一 .

中国专利 :CN101172861B ,2008-05-07

[7]

制造SiC多孔材料的方法 [P].

C.奥吉耶 ;

A-M.波帕 ;

J.莫斯比 .

中国专利 :CN102171163A ,2011-08-31

[8]

多孔烧结膜和制备多孔烧结膜的方法 [P].

V·瓦尔克 ;

D·N·戴恩 ;

D·史密斯 ;

C·雷迪 ;

M·帕特里克 .

中国专利 :CN112237788A ,2021-01-19

[9]

用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和制备装置 [P].

彭同华 ;

刘春俊 ;

王波 ;

张平 ;

邹宇 ;

赵宁 .

中国专利 :CN109844185B ,2019-06-04

[10]

一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法 [P].

罗朝华 ;

江东亮 ;

张景贤 ;

林庆玲 ;

陈忠明 ;

黄政仁 .

中国专利 :CN102180674B ,2011-09-14

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