用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和制备装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780054385.1

申请日：

2017-03-30

公开(公告)号：

CN109844185B

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

彭同华刘春俊王波张平邹宇赵宁

申请人：

申请人地址：

832099 新疆维吾尔自治区石河子市石河子开发区双拥路8-9号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2306

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王学强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20170330
2019-06-04	公开	公开
2020-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

用于生长SiC晶体的石墨坩埚 [P].

邓树军 ;

巴音图 ;

高宇 ;

陶莹 ;

赵梅玉 .

中国专利 :CN204417652U ,2015-06-24

[2]

SiC多孔烧结体的制备方法、SiC多孔烧结体和SiC晶体 [P].

邓树军 ;

张洁 ;

黄首义 .

中国专利 :CN112723904A ,2021-04-30

[3]

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法 [P].

贾瑞涛 ;

刘宁宁 .

中国专利 :CN117821932A ,2024-04-05

[4]

SiC粉体的制备装置和SiC粉体的制备方法 [P].

贾瑞涛 ;

刘宁宁 .

中国专利 :CN117821932B ,2025-05-27

[5]

挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法 [P].

胡彬 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN117822097A ,2024-04-05

[6]

坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN108070909A ,2018-05-25

[7]

SiC晶体生长装置及方法 [P].

邓树军 ;

张洁 ;

汪良 ;

付芬 .

中国专利 :CN111304746A ,2020-06-19

[8]

具有低位错密度的SiC晶体和从晶体切割的SiC晶片 [P].

罗曼·德拉赫夫 ;

达伦·汉森 ;

M·罗伯达 ;

爱德华·桑切斯 .

中国专利 :CN111676513A ,2020-09-18

[9]

具有低位错密度的SiC晶体和从晶体切割的SiC晶片 [P].

罗曼·德拉赫夫 ;

达伦·汉森 ;

M·罗伯达 ;

爱德华·桑切斯 .

中国专利 :CN105051268A ,2015-11-11

[10]

一种用于生长SiC晶体的坩埚 [P].

邓树军 ;

高宇 ;

陶莹 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN203546203U ,2014-04-16

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