一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法

被引：0

申请号：

CN202111543668.7

申请日：

2021-12-16

公开(公告)号：

CN114334583A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

赵宁赵志伟雷威张晓兵

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁区弘景大道99号

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

H01J918 C23C1416 C23C1424 C23C1435 C23C1626 C23C2800

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

吕书桁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20211216
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种缺陷型石墨烯场发射冷阴极的制备方法 [P].

赵宁 ;

赵志伟 ;

雷威 ;

张晓兵 .

中国专利 :CN115058704A ,2022-09-16

[2]

一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法 [P].

张跃 ;

王钦玉 ;

廖庆亮 ;

张铮 ;

康卓 .

中国专利 :CN108335955B ,2018-07-27

[3]

石墨烯场发射阴极制备方法及石墨烯场发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104217907A ,2014-12-17

[4]

一种阵列化垂直石墨烯场发射冷阴极制备方法 [P].

郑辉 ;

周珂 ;

郑鹏 ;

郑梁 ;

张阳 .

中国专利 :CN113990723A ,2022-01-28

[5]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111128634A ,2020-05-08

[6]

一种场发射阴极用石墨烯及其制备方法 [P].

许坤 ;

王钥萱 ;

曾凡光 ;

段肖楠 ;

庞雨桐 ;

李文成 ;

赵丙灿 .

中国专利 :CN119797343A ,2025-04-11

[7]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111128633B ,2020-05-08

[8]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113838725A ,2021-12-24

[9]

一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

李福山 ;

郭太良 ;

吴朝兴 ;

张永志 ;

张蓓蓓 ;

寇丽杰 .

中国专利 :CN102339712B ,2012-02-01

[10]

一种石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法 [P].

柳建龙 ;

杨锦标 ;

曾葆青 ;

宋林川 ;

吴喆 ;

黎晓云 ;

傅文杰 .

中国专利 :CN106098503A ,2016-11-09

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