石墨烯场发射阴极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911259741.0

申请日：

2019-12-10

公开(公告)号：

CN111128634A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

洪序达梁栋郑海荣

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

黄志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2020-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20191210

共 50 条

[1]

石墨烯场发射阴极制备方法及石墨烯场发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104217907A ,2014-12-17

[2]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113838725A ,2021-12-24

[3]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111128633B ,2020-05-08

[4]

一种场发射阴极用石墨烯及其制备方法 [P].

许坤 ;

王钥萱 ;

曾凡光 ;

段肖楠 ;

庞雨桐 ;

李文成 ;

赵丙灿 .

中国专利 :CN119797343A ,2025-04-11

[5]

一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

李福山 ;

郭太良 ;

吴朝兴 ;

张永志 ;

张蓓蓓 ;

寇丽杰 .

中国专利 :CN102339712B ,2012-02-01

[6]

场发射阴极及其制备方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN105551909A ,2016-05-04

[7]

氮掺杂还原氧化石墨烯场发射阴极的制备方法 [P].

宋也男 ;

余洋 ;

李璧丞 .

中国专利 :CN111498836A ,2020-08-07

[8]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN112053925A ,2020-12-08

[9]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111081504B ,2020-04-28

[10]

场发射阴极及其制备方法 [P].

付伟琦 ;

柳鹏 ;

冯辰 ;

张晓波 ;

姜开利 ;

刘亮 ;

范守善 .

中国专利 :CN101290857B ,2008-10-22

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