场发射阴极及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510979889.7

申请日：

2015-12-23

公开(公告)号：

CN105551909A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

洪序达梁栋石伟

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

左光明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662927424 IPC(主分类):H01J 1/304 专利申请号:2015109798897 申请日:20151223
2017-12-01	授权	授权
2016-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN105513921A ,2016-04-20

[2]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN112053925A ,2020-12-08

[3]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN113838725A ,2021-12-24

[4]

碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN108172488A ,2018-06-15

[5]

场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111081504B ,2020-04-28

[6]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111128633B ,2020-05-08

[7]

石墨烯场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN111128634A ,2020-05-08

[8]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

陈婷 ;

陈垚 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103456581B ,2013-12-18

[9]

石墨烯场发射阴极制备方法及石墨烯场发射阴极 [P].

洪序达 ;

陈垚 ;

郑海荣 ;

桂建保 .

中国专利 :CN104217907A ,2014-12-17

[10]

场发射阴极及其制备方法 [P].

付伟琦 ;

柳鹏 ;

冯辰 ;

张晓波 ;

姜开利 ;

刘亮 ;

范守善 .

中国专利 :CN101290857B ,2008-10-22

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