碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711434481.7

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN108172488A

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

洪序达梁栋石伟

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

H01J2904

IPC分类号：

H01J3506 H01J1304 H01J902

代理机构：

深圳青年人专利商标代理有限公司 44350

代理人：

傅俏梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 29/04 申请日:20171226
2020-10-23	授权	授权
2018-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN105513921A ,2016-04-20

[2]

场发射阴极及其制造方法 [P].

郑直 ;

范守善 .

中国专利 :CN101101839A ,2008-01-09

[3]

场发射阴极及其制备方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN105551909A ,2016-05-04

[4]

碳基场发射阴极及其制造方法 [P].

胡秋红 .

中国专利 :CN100595860C ,2008-07-16

[5]

碳纳米管场发射阴极及其制备方法 [P].

洪序达 ;

陈婷 ;

陈垚 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN103456581B ,2013-12-18

[6]

场发射阴极的制造方法 [P].

张丘岑 ;

宋鹏程 ;

刘长洪 ;

范守善 .

中国专利 :CN101110308B ,2008-01-23

[7]

碳纳米管场发射阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

郑海荣 .

中国专利 :CN119943627A ,2025-05-06

[8]

场发射阴极装置的制造方法 [P].

郑直 ;

范守善 .

中国专利 :CN101086940B ,2007-12-12

[9]

场发射阴极及其制备方法 [P].

付伟琦 ;

柳鹏 ;

冯辰 ;

张晓波 ;

姜开利 ;

刘亮 ;

范守善 .

中国专利 :CN101290857B ,2008-10-22

[10]

一种场发射阴极及其制造方法和应用 [P].

薛增泉 ;

张葵 ;

张耿民 ;

余宁 ;

侯士敏 ;

申志勇 ;

刘惟敏 ;

赵兴钰 ;

陈清 ;

吴锦雷 ;

张兆祥 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN1349240A ,2002-05-15

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