场发射阴极装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610061097.2

申请日：

2006-06-09

公开(公告)号：

CN101086940B

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

郑直范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学-富士康纳米科技研究中心310室

IPC主分类号：

H01J902

IPC分类号：

C01B3102

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-12	公开	公开
2011-06-22	授权	授权

共 50 条

[1]

场发射阴极的制造方法 [P].

张丘岑 ;

宋鹏程 ;

刘长洪 ;

范守善 .

中国专利 :CN101110308B ,2008-01-23

[2]

场发射阴极的制备方法 [P].

陈卓 ;

罗春香 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN101206979A ,2008-06-25

[3]

场发射阴极的制备方法 [P].

陈卓 ;

罗春香 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN101206980B ,2008-06-25

[4]

场发射阴极及其制造方法 [P].

郑直 ;

范守善 .

中国专利 :CN101101839A ,2008-01-09

[5]

场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法 [P].

方国家 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

李春 ;

李军 .

中国专利 :CN101236872A ,2008-08-06

[6]

场发射阴极及场发射装置 [P].

杜秉初 ;

柳鹏 ;

周段亮 ;

张春海 ;

范守善 .

中国专利 :CN105244246A ,2016-01-13

[7]

场发射阴极及场发射装置 [P].

杜秉初 ;

柳鹏 ;

周段亮 ;

张春海 ;

范守善 .

中国专利 :CN105448620B ,2016-03-30

[8]

一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法 [P].

方国家 ;

李春 ;

刘逆霜 ;

杨晓霞 ;

袁龙炎 .

中国专利 :CN101183631A ,2008-05-21

[9]

场发射阴极 [P].

肖东阳 ;

何佩谣 ;

邓容玉 ;

强耀春 ;

陈海需 ;

白柳杨 ;

刘文富 ;

王银玲 .

中国专利 :CN120656914A ,2025-09-16

[10]

碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN108172488A ,2018-06-15

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