两步沉积法制备ZnO薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010215711.2

申请日：

2010-06-29

公开(公告)号：

CN101887849A

公开(公告)日：

2010-11-17

发明(设计)人：

赵岳吕志勇梁小燕李召王林军闵嘉华

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L21208

IPC分类号：

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	授权	授权
2015-08-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101622494659 IPC(主分类):H01L 21/208 专利号:ZL2010102157112 申请日:20100629 授权公告日:20111221 终止日期:20140629
2010-11-17	公开	公开
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028085879 IPC(主分类):H01L 21/208 专利申请号:2010102157112 申请日:20100629

共 50 条

[1]

两步沉积法 [P].

亨利·J·施耐德 ;

加尔斯·E·埃普龙 ;

詹姆斯·M·鲍尔 .

中国专利 :CN107075657B ,2017-08-18

[2]

电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法 [P].

雷建飞 ;

李立本 ;

倪静 ;

杜凯 ;

魏荣慧 ;

毛爱霞 .

中国专利 :CN103060873A ,2013-04-24

[3]

针状ZnO纳米薄膜的制备方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN106733556A ,2017-05-31

[4]

两步氧化法制备高质量石墨烯的方法 [P].

温广武 ;

黄小萧 ;

钟博 ;

费连东 .

中国专利 :CN104495827A ,2015-04-08

[5]

两步电沉积制备多孔镍骨架析氧电极的方法 [P].

蓝凌寒 ;

刘广福 ;

张平 ;

梁举超 ;

甘久亮 ;

陈孟君 ;

庾春荣 ;

曾建华 .

中国专利 :CN119372693A ,2025-01-28

[6]

一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法 [P].

彭寿 ;

汤永康 ;

马立云 ;

金良茂 ;

甘治平 ;

李刚 .

中国专利 :CN108193278B ,2018-06-22

[7]

溶胶凝胶制备ZnO多孔薄膜的方法 [P].

楼白杨 ;

彭含笑 .

中国专利 :CN105948529A ,2016-09-21

[8]

一种两步溶液法制备磷酸铁锂正极材料的方法 [P].

刘晶晶 .

中国专利 :CN108258237A ,2018-07-06

[9]

两步法制备氧化锡纳米材料的方法 [P].

蒋建中 ;

何燕 ;

刘金芳 ;

吴海平 .

中国专利 :CN1762827A ,2006-04-26

[10]

两步共沉淀法制备铌酸锶钡纳米粉体的方法 [P].

吴淑雅 ;

朱铖 .

中国专利 :CN107903072A ,2018-04-13

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