一种导电聚3,4-乙烯二氧噻吩膜及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010558939.1

申请日：

2010-11-25

公开(公告)号：

CN102020832A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

汪的华高丽丽朱华

申请人：

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山

IPC主分类号：

C08L6500

IPC分类号：

C08G6112 C25B300 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

张火春

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L 65/00 申请日:20101125 授权公告日:20120829 终止日期:20201125
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077296431 IPC(主分类):C08L 65/00 专利申请号:2010105589391 申请日:20101125
2012-08-29	授权	授权
2011-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种导电聚吡咯的制备方法 [P].

朱华 ;

汪的华 ;

李闽 .

中国专利 :CN101979438A ,2011-02-23

[2]

一种聚（3，4-乙烯二氧噻吩）膜修饰电极的制备方法及应用 [P].

隋晶 ;

王爱萍 ;

孙翀 ;

于广水 .

中国专利 :CN110618174A ,2019-12-27

[3]

聚3，4-乙烯二氧噻吩基导电棉的制备方法 [P].

刘元军 ;

刘涵 ;

王词意 .

中国专利 :CN119711178A ,2025-03-28

[4]

一种孔径可控的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)薄膜的制备方法 [P].

李亮 ;

张桥 ;

郑华明 ;

刘仿军 .

中国专利 :CN105862071A ,2016-08-17

[5]

一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法与应用 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

刘幼幼 ;

吕耀康 ;

张诚 .

中国专利 :CN109369890A ,2019-02-22

[6]

一种纳米交联结构聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜及其制备方法与应用 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

吕耀康 ;

张诚 .

中国专利 :CN109369889A ,2019-02-22

[7]

一种自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法 [P].

李亮 ;

程志毓 ;

鄢国平 ;

喻湘华 ;

郑磊 ;

胡双强 ;

吴江渝 ;

郭庆中 ;

杜飞鹏 .

中国专利 :CN101445618A ,2009-06-03

[8]

3,4-乙烯二氧噻吩的制备方法 [P].

陈天生 ;

葛友忠 ;

陈辉宇 ;

孙勇 .

中国专利 :CN101570541A ,2009-11-04

[9]

导电高分子聚3，4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)的单体3，4-乙烯二氧噻吩(EDOT)的合成方法 [P].

张燕飞 ;

陆军 ;

杨进 ;

倪春华 ;

顾铭 .

中国专利 :CN102477044A ,2012-05-30

[10]

一种柔性聚（3，4-乙烯二氧噻吩）复合导电薄膜的制备方法 [P].

杨万泰 ;

梁杰 .

中国专利 :CN101704958A ,2010-05-12

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