一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状结构薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810998222.5

申请日：

2018-08-29

公开(公告)号：

CN109369890A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

欧阳密陈钧刘幼幼吕耀康张诚

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

C08J518 C08L6500 C25B302

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;王兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20180829
2021-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C08G 61/12 申请公布日:20190222
2019-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米交联结构聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜及其制备方法与应用 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

吕耀康 ;

张诚 .

中国专利 :CN109369889A ,2019-02-22

[2]

一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状薄膜PEDOT-PD及其制备方法与应用 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

吕耀康 ;

张诚 .

中国专利 :CN109243835A ,2019-01-18

[3]

一种聚3,4-乙烯二氧噻吩纳米网状薄膜PEDOT-TD及其制备方法与应用 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

吕耀康 ;

张诚 .

中国专利 :CN109293889A ,2019-02-01

[4]

聚（3,4-乙撑二氧噻吩）纳米线薄膜及其合成方法与应用 [P].

张诚 ;

刘幼幼 ;

吕耀康 .

中国专利 :CN105887126A ,2016-08-24

[5]

一种导电聚3,4-乙烯二氧噻吩膜及制备方法 [P].

汪的华 ;

高丽丽 ;

朱华 .

中国专利 :CN102020832A ,2011-04-20

[6]

一种自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法 [P].

李亮 ;

程志毓 ;

鄢国平 ;

喻湘华 ;

郑磊 ;

胡双强 ;

吴江渝 ;

郭庆中 ;

杜飞鹏 .

中国专利 :CN101445618A ,2009-06-03

[7]

一种聚-3,4-乙烯二氧噻吩改性薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘嘉栋 ;

王奕嘉 .

中国专利 :CN110628060A ,2019-12-31

[8]

一种聚（3，4-乙烯二氧噻吩）膜修饰电极的制备方法及应用 [P].

隋晶 ;

王爱萍 ;

孙翀 ;

于广水 .

中国专利 :CN110618174A ,2019-12-27

[9]

一种孔径可控的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)薄膜的制备方法 [P].

李亮 ;

张桥 ;

郑华明 ;

刘仿军 .

中国专利 :CN105862071A ,2016-08-17

[10]

一种以泡沫镍为基底的聚3,4-乙烯二氧噻吩超级电容器电极材料 [P].

欧阳密 ;

陈钧 ;

吕耀康 ;

刘幼幼 ;

王从泽 ;

刘刚 ;

杨星 ;

张诚 .

中国专利 :CN109192527A ,2019-01-11

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