一种基于半导体纳米线/石墨烯的近红外自驱动光电探测器的构筑方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010325803.X

申请日：

2020-04-23

公开(公告)号：

CN111446333B

公开(公告)日：

2020-07-24

发明(设计)人：

崔大祥蔡葆昉卢静金彩虹

申请人：

申请人地址：

201109 上海市闵行区剑川路468号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310352 H01L310392 H01L31109

代理机构：

上海东亚专利商标代理有限公司 31208

代理人：

董梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-24	公开	公开
2020-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20200423
2022-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

基于石墨烯/GaAs复合薄膜的高灵敏度近红外光电探测器的构筑方法及产品 [P].

崔大祥 ;

蔡葆昉 ;

王丹 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN112038447A ,2020-12-04

[2]

基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法 [P].

夏辉 ;

李天信 ;

姚碧霂 ;

卢振宇 ;

陈平平 .

中国专利 :CN103681962A ,2014-03-26

[3]

一种基于石墨烯的光电探测器 [P].

宁提纲 ;

贺雪晴 ;

裴丽 ;

郑晶晶 ;

李晶 ;

王创业 ;

许建 .

中国专利 :CN109755333A ,2019-05-14

[4]

一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法 [P].

程新红 ;

郑理 ;

王中健 ;

曹铎 ;

王谦 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN105206689B ,2015-12-30

[5]

一种短沟道半导体/石墨烯异质结光探测器的构筑方法 [P].

王敏 ;

许智豪 ;

吴从军 ;

蔡曹元 ;

马杨 .

中国专利 :CN106784141A ,2017-05-31

[6]

一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法 [P].

李京波 ;

杨淮 ;

刘柳 ;

霍能杰 .

中国专利 :CN110156077A ,2019-08-23

[7]

一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 [P].

翟雨生 ;

王琦龙 ;

计吉焘 .

中国专利 :CN109768114A ,2019-05-17

[8]

一种基于石墨烯的光电探测器 [P].

崔积适 .

中国专利 :CN110379871B ,2019-10-25

[9]

一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器 [P].

高超 ;

曹小雪 ;

徐杨 ;

彭蠡 .

中国专利 :CN111384197B ,2020-07-07

[10]

一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN214797436U ,2021-11-19

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