一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910333413.4

申请日：

2019-04-24

公开(公告)号：

CN110156077A

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

李京波杨淮刘柳霍能杰

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学半导体科学技术研究院

IPC主分类号：

C01G3000

IPC分类号：

H01L31032 H01L310352 H01L3109 H01L3118 B82Y4000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

仵乐娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	公开	公开
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 30/00 申请日:20190424

共 50 条

[1]

基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法 [P].

夏辉 ;

李天信 ;

姚碧霂 ;

卢振宇 ;

陈平平 .

中国专利 :CN103681962A ,2014-03-26

[2]

一种半导体纳米光电探测器及其加工设备、加工方法 [P].

赵珂庆 ;

马耀武 ;

徐金伟 ;

曾杰 .

中国专利 :CN104900728A ,2015-09-09

[3]

一种复合纳米线及其制备方法与光电探测器 [P].

汪国平 ;

张豫鹏 ;

黎德龙 ;

龚佑宁 ;

陈昊 .

中国专利 :CN116782735B ,2024-04-09

[4]

一种增强型二维半导体光电探测器及其制备方法 [P].

李春 ;

胡浩 ;

兰长勇 .

中国专利 :CN113013263A ,2021-06-22

[5]

一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件 [P].

戴放 ;

沈吉 ;

刘彬 ;

常维静 ;

徐叔喜 ;

王仕鑫 .

中国专利 :CN112899647A ,2021-06-04

[6]

半导体光电探测器 [P].

李艳青 ;

黄宁博 ;

侯作为 .

中国专利 :CN307562117S ,2022-09-23

[7]

ZnSe纳米光电探测器及其制备方法 [P].

王莉 ;

揭建胜 ;

吴春艳 ;

于永强 ;

卢敏 ;

谢超 ;

郭慧尔 ;

任勇斌 .

中国专利 :CN102163641A ,2011-08-24

[8]

半导体光电探测器及制备方法 [P].

郑婉华 ;

李明明 ;

王天财 ;

宋春旭 ;

王亮 ;

杜晓宇 .

中国专利 :CN120322028A ,2025-07-15

[9]

半导体光电探测器及制备方法 [P].

郑婉华 ;

李明明 ;

王天财 ;

宋春旭 ;

王亮 ;

杜晓宇 .

中国专利 :CN120322028B ,2025-09-26

[10]

半导体光电探测器及其制造方法 [P].

杉山光弘 .

中国专利 :CN1238566A ,1999-12-15

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