介电组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00131692.3

申请日：

2000-09-15

公开(公告)号：

CN1292556A

公开(公告)日：

2001-04-25

发明(设计)人：

J·G·夏尔纳特 W·桑南伯格 J·L·奥伯瑞 J·P·坎拉斯

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞

IPC主分类号：

H01B330

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李瑛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-04-25	公开	公开
2005-04-06	授权	授权
2009-11-11	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低膨胀介电组合物 [P].

何国仁 ;

威廉·D·瓦内尔 ;

托马斯·J·威廉斯 .

中国专利 :CN1769346A ,2006-05-10

[2]

浸泡式介电组成物 [P].

何健德 .

中国专利 :CN120272175A ,2025-07-08

[3]

挠曲性、低介电损失组合物及其制造方法 [P].

刘淑芬 ;

陈孟晖 ;

余曼君 .

中国专利 :CN101503558B ,2009-08-12

[4]

一种磁介电树脂组合物及其应用 [P].

殷卫峰 ;

吴成蛟 ;

李莎 ;

师剑英 ;

张济明 .

中国专利 :CN109553955A ,2019-04-02

[5]

介电体用复合颗粒、超微颗粒复合树脂颗粒、介电体形成用组合物及其用途 [P].

伊藤信幸 ;

增子英明 ;

长谷川里美 ;

能村仲笃 .

中国专利 :CN1455933A ,2003-11-12

[6]

阳离子电沉积涂料组合物 [P].

西口滋朗 ;

岛崎昭彦 .

中国专利 :CN101386768B ,2009-03-18

[7]

阳离子电沉积涂料组合物 [P].

西口滋朗 ;

岛崎昭彦 .

中国专利 :CN101307200A ,2008-11-19

[8]

微波介电材料 [P].

L·贝里斯特德特 .

中国专利 :CN1178783C ,2001-09-12

[9]

高介电材料 [P].

刘淑芬 ;

洪铭聪 ;

陈碧义 .

中国专利 :CN102115317B ,2011-07-06

[10]

低介电树脂组合物、半固化片、及覆铜层压板 [P].

王华 .

中国专利 :CN112824451A ,2021-05-21

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