低膨胀介电组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510107159.4

申请日：

2005-09-28

公开(公告)号：

CN1769346A

公开(公告)日：

2006-05-10

发明(设计)人：

何国仁威廉·D·瓦内尔托马斯·J·威廉斯

申请人：

申请人地址：

美国新罕布什尔州

IPC主分类号：

C08L7112

IPC分类号：

C08L6300 C08K336 B32B3300 B32B3808 H05K103

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

过晓东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-10	公开	公开
2007-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-08-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003944543 IPC(主分类):C08L 71/12 专利申请号:2005101071594 公开日:20060510
2007-05-09	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前权利人:波利克莱德拉姆内替斯有限公司变更后权利人:艾赛奥莱美国公司变更事项:地址变更事项:申请人变更前权利人:美国新罕布什尔州变更后权利人:美国亚利桑那州登记生效日:20070406

共 50 条

[1]

控制了热膨胀的介电组合物 [P].

罗伯特·艾伍德·森科斯克 ;

唐纳德·李·汉森马叶儿 .

中国专利 :CN1046704A ,1990-11-07

[2]

介电玻璃组合物 [P].

M·斯格里西亚 ;

M·查令斯沃斯 ;

S·沙赫巴茨 ;

R·皮尔森 ;

S·格拉贝 .

中国专利 :CN105174716A ,2015-12-23

[3]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[4]

介电组合物 [P].

J·G·夏尔纳特 ;

W·桑南伯格 ;

J·L·奥伯瑞 ;

J·P·坎拉斯 .

中国专利 :CN1292556A ,2001-04-25

[5]

挠曲性、低介电损失组合物及其制造方法 [P].

刘淑芬 ;

陈孟晖 ;

余曼君 .

中国专利 :CN101503558B ,2009-08-12

[6]

低膨胀的聚合物组合物 [P].

G·L·弗朗西斯 ;

R·E·约翰逊 ;

P·A·蒂克 ;

L·M·吴 .

中国专利 :CN1114968A ,1996-01-17

[7]

介电陶瓷组合物、多层介电基板、电子部件和介电陶瓷组合物的制备方法 [P].

益川纯一 ;

市川耕司 .

中国专利 :CN102365249A ,2012-02-29

[8]

一种低介电损耗低膨胀系数的树脂组合物及其制备与应用 [P].

晏浩强 .

中国专利 :CN121182082A ,2025-12-23

[9]

低介电的无卤素树脂组合物及其应用 [P].

谢镇宇 .

中国专利 :CN104177809A ,2014-12-03

[10]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN107227015B ,2017-10-03

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