形成介电膜的组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880001950.2

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN109789644B

公开(公告)日：

2019-05-21

发明(设计)人：

S·马利克 W·A·赖纳特 B·B·德

申请人：

申请人地址：

美国罗得岛州

IPC主分类号：

B29C6720

IPC分类号：

C08J518 C09D17908

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

林祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 67/20 申请日:20180228
2023-01-31	授权	授权
2019-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[2]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[3]

介电组合物、介电膜和电容器 [P].

小城原佑亮 ;

前岛宏行 ;

松泽伸行 ;

森田秀幸 .

日本专利 :CN114555673B ,2024-08-20

[4]

介电组合物、介电膜和电容器 [P].

小城原佑亮 ;

前岛宏行 ;

松泽伸行 ;

森田秀幸 .

中国专利 :CN114555673A ,2022-05-27

[5]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[6]

溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P].

国定照房 ;

荻野悦男 ;

筏井正博 .

中国专利 :CN1807680A ,2006-07-26

[7]

孪生单体组合物及其介电膜 [P].

S·奇霍尼 ;

J-P·B·林德纳 ;

D·勒夫勒 ;

Y·伯克 ;

I·亨尼格 ;

L·B·亨德森 ;

B·格克 ;

R·德奥利维拉 ;

V·博伊科 ;

F·皮龙 .

中国专利 :CN114026102A ,2022-02-08

[8]

低膨胀介电组合物 [P].

何国仁 ;

威廉·D·瓦内尔 ;

托马斯·J·威廉斯 .

中国专利 :CN1769346A ,2006-05-10

[9]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[10]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

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