形成介电膜的方法和介电膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510112743.9

申请日：

2005-10-12

公开(公告)号：

CN1782125A

公开(公告)日：

2006-06-07

发明(设计)人：

S·源 A·格里尔 S·M·盖茨 D·A·诺伊迈尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

C23C16513

IPC分类号：

C23C1622 C23C1656

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

林柏楠;刘金辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	授权	授权
2006-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/513 登记生效日:20171110 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2017-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/513 登记生效日:20171110 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2006-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[2]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[3]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[4]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01

[5]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[6]

介电膜和包括介电膜的功率电容器 [P].

漆乐俊 ;

C-H·何 ;

L·彼得森 ;

陈建升 .

中国专利 :CN111212870A ,2020-05-29

[7]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[8]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[9]

衬底上形成介电膜的方法 [P].

N·P·哈克 ;

S·莱菲尔茨 ;

M·D·斯勒索 ;

L·K·菲格 .

中国专利 :CN1165973C ,2002-03-27

[10]

介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质 [P].

中川隆史 ;

北野尚武 ;

辰巳彻 .

中国专利 :CN102224578A ,2011-10-19

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