用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410089606.3

申请日：

2004-10-28

公开(公告)号：

CN100497480C

公开(公告)日：

2005-06-22

发明(设计)人：

柳利烈林珍亨宣钟白

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C08L8304

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

封新琴;巫肖南

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-10	授权	授权
2005-06-22	公开	公开
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029294014 IPC(主分类):C08L 83/04 专利号:ZL2004100896063 申请日:20041028 授权公告日:20090610 终止日期:20091130

共 50 条

[1]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[2]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[3]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[4]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[5]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[6]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[7]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01

[8]

衬底上形成介电膜的方法 [P].

N·P·哈克 ;

S·莱菲尔茨 ;

M·D·斯勒索 ;

L·K·菲格 .

中国专利 :CN1165973C ,2002-03-27

[9]

用于形成低湿度介电膜的方法 [P].

Z·Q·华 ;

L·罗 ;

M·A·埃尔南德斯 ;

Z·曹 ;

K·萨普瑞 ;

A·巴特纳格尔 .

中国专利 :CN103026464A ,2013-04-03

[10]

溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P].

国定照房 ;

荻野悦男 ;

筏井正博 .

中国专利 :CN1807680A ,2006-07-26

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