用于形成低湿度介电膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180018408.6

申请日：

2011-03-07

公开(公告)号：

CN103026464A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

Z·Q·华 L·罗 M·A·埃尔南德斯 Z·曹 K·萨普瑞 A·巴特纳格尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡林岭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448959665 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800184086 申请日:20110307
2015-12-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725484403 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800184086 申请公布日:20130403
2013-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[2]

用于硬掩模的金属介电膜的沉积 [P].

法亚兹·谢赫 ;

西丽斯·雷迪 .

中国专利 :CN106024605A ,2016-10-12

[3]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[4]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[5]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[6]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01

[7]

溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P].

国定照房 ;

荻野悦男 ;

筏井正博 .

中国专利 :CN1807680A ,2006-07-26

[8]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[9]

制备低介电膜的方法 [P].

李时雨 ;

郭相基 .

中国专利 :CN1277290C ,2004-08-18

[10]

形成经卤素掺杂的介电膜 [P].

玛丽·瓦丁顿·格鲁姆布莱斯 ;

道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ;

丹尼尔·克里斯多夫·梅西纳 ;

詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;

拉维·库马尔 ;

康纳·埃里克·库尔特·霍顿 ;

张涛 ;

普尔凯特·阿加瓦尔 .

美国专利 :CN120390974A ,2025-07-29

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