形成经卤素掺杂的介电膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380087625.3

申请日：

2023-12-15

公开(公告)号：

CN120390974A

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

玛丽·瓦丁顿·格鲁姆布莱斯道格拉斯·沃尔特·阿格纽丹尼尔·克里斯多夫·梅西纳詹尼弗·利·佩特拉利亚拉维·库马尔康纳·埃里克·库尔特·霍顿张涛普尔凯特·阿加瓦尔

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/3115 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/56

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;童礼翎

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	公开	公开
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20231215

共 50 条

[1]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[2]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[3]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[4]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[5]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01

[6]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[7]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[8]

用于形成低湿度介电膜的方法 [P].

Z·Q·华 ;

L·罗 ;

M·A·埃尔南德斯 ;

Z·曹 ;

K·萨普瑞 ;

A·巴特纳格尔 .

中国专利 :CN103026464A ,2013-04-03

[9]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[10]

制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成 [P].

梁宰瑛 .

中国专利 :CN101728261A ,2010-06-09

← 1 2 3 4 5 →