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形成介电膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010167894.5
申请日：
2008-12-26
公开(公告)号：
CN101944482B
公开(公告)日：
2011-01-12
发明(设计)人：
北野尚武 福地祐介 铃木伸昌 北川英夫
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L21316
IPC分类号：
C23C1414
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
杨国权
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2011-01-12 公开 公开
2012-11-14 授权 授权
2011-03-09 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056089074 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2010101678945 申请日:20081226
共 50 条
[1]
形成介电膜的方法 [P]. 
北野尚武 ;
福地祐介 ;
铃木伸昌 ;
北川英夫 .
中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01
[2]
形成介电膜的方法 [P]. 
北川英夫 ;
北野尚武 .
中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01
[3]
形成介电膜的方法 [P]. 
福地祐介 ;
北野尚武 .
中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01
[4]
形成介电膜的方法和介电膜 [P]. 
S·源 ;
A·格里尔 ;
S·M·盖茨 ;
D·A·诺伊迈尔 .
中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07
[5]
用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P]. 
柳利烈 ;
林珍亨 ;
宣钟白 .
中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22
[6]
衬底上形成介电膜的方法 [P]. 
N·P·哈克 ;
S·莱菲尔茨 ;
M·D·斯勒索 ;
L·K·菲格 .
中国专利 :CN1165973C ,2002-03-27
[7]
形成介电膜的组合物 [P]. 
S·马利克 ;
W·A·赖纳特 ;
B·B·德 .
中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21
[8]
形成介电膜的组合物 [P]. 
S·马利克 ;
W·A·赖纳特 ;
O·迪莫夫 ;
R·萨卡穆里 .
中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21
[9]
用于形成低湿度介电膜的方法 [P]. 
Z·Q·华 ;
L·罗 ;
M·A·埃尔南德斯 ;
Z·曹 ;
K·萨普瑞 ;
A·巴特纳格尔 .
中国专利 :CN103026464A ,2013-04-03
[10]
溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P]. 
国定照房 ;
荻野悦男 ;
筏井正博 .
中国专利 :CN1807680A ,2006-07-26
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