衬底上形成介电膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00804615.8

申请日：

2000-01-07

公开(公告)号：

CN1165973C

公开(公告)日：

2002-03-27

发明(设计)人：

N·P·哈克 S·莱菲尔茨 M·D·斯勒索 L·K·菲格

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

H01L21312

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王景朝;姜建成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-03-27	公开	公开
2009-03-11	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-09-08	授权	授权
2002-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[2]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[3]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[4]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[5]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101471256B ,2009-07-01

[6]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[7]

在衬底上形成高介电常数的介电层的方法 [P].

伊贝尼泽·E·艾舒恩 ;

道格拉斯·D·考尔保 ;

库纳尔·瓦伊德 ;

肯尼斯·J·斯坦恩 .

中国专利 :CN100459063C ,2006-11-29

[8]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[9]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[10]

用于形成低湿度介电膜的方法 [P].

Z·Q·华 ;

L·罗 ;

M·A·埃尔南德斯 ;

Z·曹 ;

K·萨普瑞 ;

A·巴特纳格尔 .

中国专利 :CN103026464A ,2013-04-03

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