形成介电膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810190696.3

申请日：

2008-12-26

公开(公告)号：

CN101471256B

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

北野尚武福地祐介铃木伸昌北川英夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

杨国权

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-05-23	授权	授权
2009-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

形成介电膜的方法 [P].

北野尚武 ;

福地祐介 ;

铃木伸昌 ;

北川英夫 .

中国专利 :CN101944482B ,2011-01-12

[2]

形成介电膜的方法 [P].

北川英夫 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471255A ,2009-07-01

[3]

形成介电膜的方法 [P].

福地祐介 ;

北野尚武 .

中国专利 :CN101471254B ,2009-07-01

[4]

形成介电膜的方法和介电膜 [P].

S·源 ;

A·格里尔 ;

S·M·盖茨 ;

D·A·诺伊迈尔 .

中国专利 :CN1782125A ,2006-06-07

[5]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[6]

衬底上形成介电膜的方法 [P].

N·P·哈克 ;

S·莱菲尔茨 ;

M·D·斯勒索 ;

L·K·菲格 .

中国专利 :CN1165973C ,2002-03-27

[7]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[8]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[9]

用于形成低湿度介电膜的方法 [P].

Z·Q·华 ;

L·罗 ;

M·A·埃尔南德斯 ;

Z·曹 ;

K·萨普瑞 ;

A·巴特纳格尔 .

中国专利 :CN103026464A ,2013-04-03

[10]

溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法 [P].

国定照房 ;

荻野悦男 ;

筏井正博 .

中国专利 :CN1807680A ,2006-07-26

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