孪生单体组合物及其介电膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080044557.9

申请日：

2020-07-03

公开(公告)号：

CN114026102A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

S·奇霍尼 J-P·B·林德纳 D·勒夫勒 Y·伯克 I·亨尼格 L·B·亨德森 B·格克 R·德奥利维拉 V·博伊科 F·皮龙

申请人：

申请人地址：

德国莱茵河畔路德维希港

IPC主分类号：

C07F704

IPC分类号：

B32B1508 C08K322 C08K906 C08L4304 H01L2314 H05K103

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

肖威;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

B·B·德 .

中国专利 :CN109789644B ,2019-05-21

[2]

形成介电膜的组合物 [P].

S·马利克 ;

W·A·赖纳特 ;

O·迪莫夫 ;

R·萨卡穆里 .

中国专利 :CN109790405B ,2019-05-21

[3]

介电组合物、介电膜和电容器 [P].

小城原佑亮 ;

前岛宏行 ;

松泽伸行 ;

森田秀幸 .

日本专利 :CN114555673B ,2024-08-20

[4]

介电组合物、介电膜和电容器 [P].

小城原佑亮 ;

前岛宏行 ;

松泽伸行 ;

森田秀幸 .

中国专利 :CN114555673A ,2022-05-27

[5]

介电组合物 [P].

约瑟夫·理查德·雷利克 .

中国专利 :CN86101910A ,1986-10-01

[6]

介电组合物、介电膜和电子部件 [P].

武田早织 ;

兼子俊彦 ;

山下由贵 ;

瀬在勇司 .

中国专利 :CN104637675B ,2015-05-20

[7]

用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法 [P].

柳利烈 ;

林珍亨 ;

宣钟白 .

中国专利 :CN100497480C ,2005-06-22

[8]

介电组合物以及包含该介电组合物的电子组件 [P].

姜晟馨 ;

金亨奎 ;

曹钟贤 ;

崔斗源 ;

金龙九 ;

赵沆奎 .

中国专利 :CN110323059B ,2019-10-11

[9]

绝缘膜或介电膜 [P].

田中义人 ;

松浦诚 ;

铃木悠希 ;

尾形明俊 ;

岸川洋介 ;

吉本洋之 .

中国专利 :CN114930468A ,2022-08-19

[10]

低介电树脂组合物 [P].

矢野聪宏 ;

小松正树 .

中国专利 :CN102471590B ,2012-05-23

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	公开	公开
2022-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 7/04 申请日:20200703