低介电材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610167700.9

申请日：

2016-03-23

公开(公告)号：

CN107227015B

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

鄞盟松陈礼君

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县新埔镇内立里大鲁阁路17号

IPC主分类号：

C08L7112

IPC分类号：

C08L7710 C08L7908 C08L2510 C08L3506 C08K53492 C08K55313

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

马廷昭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	授权	授权
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 71/12 申请日:20160323
2017-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN109971154A ,2019-07-05

[2]

一种低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN103965606A ,2014-08-06

[3]

介电材料 [P].

F·迈耶 ;

G·拉比格 ;

K·克珀 .

德国专利 :CN118047765A ,2024-05-17

[4]

介电材料 [P].

F·迈耶 ;

G·拉比格 ;

K·克珀 .

中国专利 :CN111601869A ,2020-08-28

[5]

低介电损耗复合弹性介电材料的制备方法 [P].

胡玲 .

中国专利 :CN108239327A ,2018-07-03

[6]

一种低介电填料及其制备方法和一种低介电LCP复合材料 [P].

王贤文 ;

陈瀛 ;

谭麟 ;

黄文刚 ;

胡三友 ;

杨思思 .

中国专利 :CN118994730A ,2024-11-22

[7]

低k介电材料 [P].

马克·L.F.·菲利普斯 ;

特拉维斯·P.S.·托马斯 .

中国专利 :CN101687219A ,2010-03-31

[8]

低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法 [P].

陈美玲 ;

陈哲明 ;

赖国智 ;

苏文杰 .

中国专利 :CN1953143A ,2007-04-25

[9]

一种高频低介电材料的制备方法 [P].

侯远 ;

梁希亭 ;

江建勇 ;

胡澎浩 .

中国专利 :CN111849097B ,2020-10-30

[10]

去除硅片表面低介电材料的方法 [P].

刘文燕 ;

李芳 ;

方精训 .

中国专利 :CN103295881B ,2013-09-11

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