低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108665.5

申请日：

2005-10-18

公开(公告)号：

CN1953143A

公开(公告)日：

2007-04-25

发明(设计)人：

陈美玲陈哲明赖国智苏文杰

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

H01L214757

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-25	公开	公开
2009-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN109971154A ,2019-07-05

[2]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN107227015B ,2017-10-03

[3]

在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1259710C ,2004-03-17

[4]

形成多孔超低介电材料的方法 [P].

鲍宇 ;

桑宁波 ;

雷通 .

中国专利 :CN104505344A ,2015-04-08

[5]

一种低介电材料的修复方法 [P].

姚颖 ;

荆建芬 ;

邱腾飞 ;

蔡鑫元 .

中国专利 :CN104733305A ,2015-06-24

[6]

用于形成低Κ介电材料的方法 [P].

M·卡利亚潘 ;

谢波 ;

S·姚 ;

夏立群 ;

M·哈弗特 ;

陆瑞 ;

栗潇博 ;

C-I·郎 ;

S·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN121013916A ,2025-11-25

[7]

密封多孔低k介电材料的方法 [P].

C·沃尔弗里德 ;

O·埃斯科尔恰 ;

I·贝里 .

中国专利 :CN100530564C ,2008-01-02

[8]

低k介电材料 [P].

马克·L.F.·菲利普斯 ;

特拉维斯·P.S.·托马斯 .

中国专利 :CN101687219A ,2010-03-31

[9]

多孔低K介电蚀刻 [P].

艾利克·哈德森 ;

沙尚克·德希穆克 ;

桑尼·李 ;

王家俊 ;

普拉帕格拉·卡帕拉达苏 ;

欧阳子皓 .

中国专利 :CN110663104A ,2020-01-07

[10]

一种低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN103965606A ,2014-08-06

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