在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02131620.1

申请日：

2002-09-11

公开(公告)号：

CN1259710C

公开(公告)日：

2004-03-17

发明(设计)人：

李世达徐震球

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2131

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

刘朝华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-14	授权	授权
2005-05-11	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移登记生效日:20050408 变更事项:申请人变更前权利人:矽统科技股份有限公司变更后权利人:联华电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:台湾省新竹科学园区变更后权利人:台湾省新竹科学工业园区
2022-09-27	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20020911 授权公告日:20060614
2004-03-17	公开	公开
2004-05-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法 [P].

陈美玲 ;

陈哲明 ;

赖国智 ;

苏文杰 .

中国专利 :CN1953143A ,2007-04-25

[2]

形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构 [P].

章勋明 ;

余振华 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN1244144C ,2003-10-22

[3]

形成平坦内金属介电层的方法 [P].

罗吉进 .

中国专利 :CN1236978A ,1999-12-01

[4]

一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN1649106A ,2005-08-03

[5]

形成多孔超低介电材料的方法 [P].

鲍宇 ;

桑宁波 ;

雷通 .

中国专利 :CN104505344A ,2015-04-08

[6]

于低介电材料层中形成导电结构的方法 [P].

吴文正 .

中国专利 :CN1489196A ,2004-04-14

[7]

用于形成低Κ介电材料的方法 [P].

M·卡利亚潘 ;

谢波 ;

S·姚 ;

夏立群 ;

M·哈弗特 ;

陆瑞 ;

栗潇博 ;

C-I·郎 ;

S·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN121013916A ,2025-11-25

[8]

处理低介电常数介电层的方法 [P].

王静亚 ;

曾伟雄 ;

罗冠胜 .

中国专利 :CN100376019C ,2006-04-05

[9]

形成阻障层的方法 [P].

黄俊智 ;

陈太郎 .

中国专利 :CN1448999A ,2003-10-15

[10]

改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法 [P].

杨风波 .

中国专利 :CN108807262B ,2018-11-13

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