一种低介电材料的修复方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310698551.5

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN104733305A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

姚颖荆建芬邱腾飞蔡鑫元

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

代理机构：

上海翰鸿律师事务所 31246

代理人：

李佳铭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	公开	公开
2017-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756884843 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2013106985515 申请公布日:20150624

共 50 条

[1]

低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法 [P].

陈美玲 ;

陈哲明 ;

赖国智 ;

苏文杰 .

中国专利 :CN1953143A ,2007-04-25

[2]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN109971154A ,2019-07-05

[3]

低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN107227015B ,2017-10-03

[4]

一种低介电材料 [P].

鄞盟松 ;

陈礼君 .

中国专利 :CN103965606A ,2014-08-06

[5]

一种低介电材料的表面改性工艺 [P].

唐建新 ;

朱钧钧 ;

李艳青 .

中国专利 :CN102718226A ,2012-10-10

[6]

一种低介电填料及其制备方法和一种低介电LCP复合材料 [P].

王贤文 ;

陈瀛 ;

谭麟 ;

黄文刚 ;

胡三友 ;

杨思思 .

中国专利 :CN118994730A ,2024-11-22

[7]

一种高频低介电材料的制备方法 [P].

侯远 ;

梁希亭 ;

江建勇 ;

胡澎浩 .

中国专利 :CN111849097B ,2020-10-30

[8]

用于形成低Κ介电材料的方法 [P].

M·卡利亚潘 ;

谢波 ;

S·姚 ;

夏立群 ;

M·哈弗特 ;

陆瑞 ;

栗潇博 ;

C-I·郎 ;

S·文卡特拉曼 .

美国专利 :CN121013916A ,2025-11-25

[9]

一种阵列孔低介电材料的制备方法 [P].

唐建新 ;

朱钧钧 ;

李艳青 .

中国专利 :CN102730705A ,2012-10-17

[10]

去除硅片表面低介电材料的方法 [P].

刘文燕 ;

李芳 ;

方精训 .

中国专利 :CN103295881B ,2013-09-11

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