一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710334562.3

申请日：

2017-05-12

公开(公告)号：

CN107134407A

公开(公告)日：

2017-09-05

发明(设计)人：

金智黄昕楠姚尧彭松昂史敬元张大勇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L21027 B82Y1000

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

张瑾

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/04 申请公布日:20170905
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750780240 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:2017103345623 申请日:20170512
2017-09-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法 [P].

彭松昂 ;

金智 ;

张大勇 ;

史敬元 .

中国专利 :CN107275218A ,2017-10-20

[2]

一种二维晶体材料场效应管及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN107634099B ,2018-01-26

[3]

一种场效应管及场效应管制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN102842505A ,2012-12-26

[4]

基于二维晶体材料的自组装场效应管及其制造方法 [P].

邓涛 ;

张兆浩 .

中国专利 :CN107134479A ,2017-09-05

[5]

基于二维碲化镓材料场效应管的真空退火方法 [P].

王涛 ;

赵清华 ;

介万奇 ;

李洁 ;

谢涌 ;

张颖菡 ;

王维 ;

张香港 ;

董赟达 .

中国专利 :CN107123599A ,2017-09-01

[6]

一种基于双层光刻胶的光刻方法 [P].

高艺佼 .

中国专利 :CN115469511A ,2022-12-13

[7]

二维材料场效应晶体管的制备方法 [P].

李绍娟 .

中国专利 :CN110783179A ,2020-02-11

[8]

一种基于双层光刻胶的光刻方法 [P].

高艺佼 .

中国专利 :CN115469511B ,2025-04-25

[9]

二维材料场效应晶体管及其制造方法 [P].

綦殿禹 ;

许凯 ;

方文章 ;

钟欢 ;

姚一洋 ;

李海川 ;

胡沈醉 .

中国专利 :CN118588568A ,2024-09-03

[10]

一种场效应管制备方法及场效应管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111969038A ,2020-11-20

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