基于二维晶体材料的自组装场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710190608.9

申请日：

2017-03-28

公开(公告)号：

CN107134479A

公开(公告)日：

2017-09-05

发明(设计)人：

邓涛张兆浩

申请人：

申请人地址：

100044 北京市海淀区上园村3号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

付生辉;陈君智

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	公开	公开
2021-01-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20170905
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750786528 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2017101906089 申请日:20170328

共 50 条

[1]

一种二维晶体材料场效应管及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN107634099B ,2018-01-26

[2]

场效应管及其制造方法 [P].

秦旭东 ;

徐慧龙 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108463889B ,2018-08-28

[3]

场效应管及其制造方法 [P].

倪崇尧 .

中国专利 :CN120812986A ,2025-10-17

[4]

场效应管及其制造方法 [P].

袁晓龙 ;

沈健 ;

姚国峰 ;

柳玉平 .

中国专利 :CN114127949A ,2022-03-01

[5]

自对准二维晶体材料场效应半导体器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李平 ;

张庆伟 .

中国专利 :CN105609539A ,2016-05-25

[6]

肖特基场效应管及其制造方法 [P].

石清云 ;

沈震 ;

李可 .

中国专利 :CN110391300A ,2019-10-29

[7]

功率场效应管及其制造方法 [P].

于绍欣 .

中国专利 :CN102130161A ,2011-07-20

[8]

一种薄膜电晶体场效应管及其制造方法 [P].

刘思呈 .

中国专利 :CN103762246B ,2014-04-30

[9]

场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法 [P].

洪宾 ;

王子岳 ;

张帆 ;

刘风光 ;

陈磊 ;

王燕 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN113488538B ,2025-02-25

[10]

一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法 [P].

赵桂娟 ;

黄河源 ;

邢树安 ;

吕秀睿 ;

茆邦耀 ;

刘贵鹏 .

中国专利 :CN113437144A ,2021-09-24

← 1 2 3 4 5 →