半导体器件的制造方法及其半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110406661.4
申请日
2021-04-15
公开(公告)号
CN113130636B
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
何丹丹
申请人
申请人地址
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L2945
IPC分类号
H01L2940
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
朱颖;刘芳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件制造方法及其半导体器件 [P]. 
杉井信之 ;
中川清和 ;
山口伸也 ;
宫尾正信 .
中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04
[2]
制造半导体器件的方法及其半导体器件 [P]. 
威廉·C·匹特曼 ;
埃里克·S·约翰逊 ;
阿道尔夫·C·瑞业斯 .
中国专利 :CN1436367A ,2003-08-13
[3]
半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置 [P]. 
浅子龙一 ;
白石豪介 ;
田原慈 .
中国专利 :CN101728320A ,2010-06-09
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
挂端哲弥 ;
田中哲弘 ;
浅见良信 .
中国专利 :CN102332471A ,2012-01-25
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金龙水 ;
周文植 ;
赵兴在 ;
崔源峻 .
中国专利 :CN101621010A ,2010-01-06
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
矶部敦生 ;
村上智史 ;
高野圭惠 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN1870233A ,2006-11-29
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
村田龙纪 ;
辻内干夫 .
中国专利 :CN101593764B ,2009-12-02
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
林辽 ;
赤池康彦 .
中国专利 :CN111276409A ,2020-06-12
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金承默 .
中国专利 :CN111384240A ,2020-07-07
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
挂端哲弥 ;
田中哲弘 ;
浅见良信 .
中国专利 :CN101454892B ,2009-06-10